IPP041N04N G
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:81000
- 数据列表 :IPB,IPP041N04N G
- 标准包装 :500
- 类别 :分离式半导体产品
- 家庭 :FET - 单
- 系列 :OptiMOS™
- FET 型 :MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :80A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :4.1 毫欧 @ 80A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :4V @ 45µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :56nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :4500pF @ 20V
- 功率 - 最大 :94W
- 安装类型 :通孔
- 封装/外壳 :TO-220-3
- 供应商设备封装 :PG-TO220-3
- 包装 :管件
- 其它名称 :SP000392842SP000680790
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